中微半导体申请沉积钨方法及其半导体基片和气体供给系统专利，通过脉冲方式有助于保持顶部开口区域的抑制效果而不会加深对该区域的抑制深度_资源案例

中微半导体申请沉积钨方法及其半导体基片和气体供给系统专利，通过脉冲方式有助于保持顶部开口区域的抑制效果而不会加深对该区域的抑制深度

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2025-06-04 14:33:58

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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种沉积钨的方法及其半导体基片和气体供给系统”的专利，公开号CN120082865A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种沉积钨的方法及其半导体基片和气体供给系统，所述沉积钨的方法包含：第一沉积步骤，在基片的凹陷结构的侧壁和底部沉积第一厚度的钨材料层，第一厚度为50～1100埃；处理步骤，其包含多个脉冲周期，所述处理步骤中以脉冲的方式向基片表面通入处理气体和吹扫气体，所述处理气体包含第一气体，所述第一气体为含氟/氯原子和至少含碳、硫、氮、氢或氧原子之一的气体，所述第一气体与所述凹陷结构上沉积的钨材料层的至少部分区域形成钨生长抑制区；第二沉积步骤，沉积钨材料层，使得凹陷结构的至少部分区域被钨填充。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1514条，此外企业还拥有行政许可72个。

来源：金融界

企业气体供给基片脉冲效果深度导体专利区域钨材料

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