无锡新洁能申请沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法专利极大地降低器件的导通电阻_资源案例

无锡新洁能申请沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法专利极大地降低器件的导通电阻

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2025-06-04 15:34:25

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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，无锡新洁能股份有限公司申请一项名为“一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN120091607A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括漏极金属及N型漏极，在N型漏极的上表面依次设有N型外延层、P型体区，在P型体区表面还设有N型源极和P型源极，在N型外延层远离N型漏极的一端表面设有纵向沟槽，纵向沟槽内部设有多晶硅，且多晶硅的外围被栅氧化层包裹；在纵向沟槽底部的下方区域设有第一P型掺杂区，在P型体区的下方区域设有第二P型掺杂区，第一和第二P型掺杂区向靠近N型漏极方向延伸，并通过横向P型掺杂区连接，N型源极和P型源极表面设置有源极金属和介质层。

天眼查资料显示，无锡新洁能股份有限公司，成立于2013年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41533.2567万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡新洁能股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息274条，此外企业还拥有行政许可46个。

来源：金融界

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