上海新硅聚合半导体申请一种异质晶圆结构及其制备方法专利，有效提高了异质晶圆结构制备的退火温度_资源案例

上海新硅聚合半导体申请一种异质晶圆结构及其制备方法专利，有效提高了异质晶圆结构制备的退火温度

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2025-06-05 02:34:18

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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种异质晶圆结构及其制备方法”的专利，公开号CN120089594A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请实施例提供的异质晶圆结构的制备方法，通过提供第一键合结构；第一键合结构包括依次层叠设置的第一单晶晶圆、第一介质层和第二单晶晶圆，且第一单晶晶圆中设置有缺陷层；提供一晶圆结构；晶圆结构包括第三单晶晶圆和位于第三单晶晶圆上的第二介质层；自第二介质层的表面对晶圆结构进行刻蚀处理，以形成位于第三单晶晶圆表面的对称型沟槽结构；对称型沟槽结构的深度等于第二介质层的厚度；将第一键合结构和晶圆结构键合，得到第二键合结构；对第二键合结构进行退火处理，以使第二键合结构沿缺陷层进行剥离，得到异质晶圆结构，利用上述方法有效的提高了异质晶圆结构制备的退火温度，增加异了质晶圆结构的键合强度和复用次数。

天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本37233.3333万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目123次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

方法显示温度信息半导体介质提高了单晶结构专利异质介质层晶圆

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