海珀电子申请高电子迁移率晶体管专利，明确高电子迁移率晶体管结构
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2025-06-06 20:07:10
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管”的专利，公开号CN120111925A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种高电子迁移率晶体管包括半导体结构、阶梯状沟槽、电极以及栅极。半导体结构包括阻障层及通道层。阻障层设置于通道层上，在通道层中二维电子气体形成于通道层与阻障层间的界面。阶梯状沟槽设置于半导体结构中。电极设置于阶梯状沟槽。栅极设置于阻障层上。阶梯状沟槽具有第一宽度与第二宽度，第一宽度大于第二宽度。
来源：金融界
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