湖北星辰技术申请半导体相关专利，提高半导体器件的可靠性
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2025-06-07 17:05:48
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法和测试方法、存储系统”的专利，公开号CN120109122A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法和测试方法、存储系统；其中，半导体器件包括沿第一方向依次层叠设置的半导体层、第一介质层和第二介质层；半导体结构，位于半导体层中；第一导电结构，位于第一介质层中；第一导电结构与半导体结构连接；第二导电结构，沿第一方向贯穿第二介质层且延伸至第一介质层中，第二导电结构与第一导电结构沿第一方向远离半导体结构的一端连接；衬垫结构，位于第二介质层中；衬垫结构与第二导电结构连接，且衬垫结构与第一导电结构彼此隔离；开口，位于第二介质层中；开口暴露出衬垫结构。
天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本2935.8218万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可16个。
来源：金融界
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