武汉罗博半导体申请扩片后晶圆map图生成方法相关专利，对切割扩片后的wafer适用性更好
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2025-06-07 18:06:06
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，武汉罗博半导体科技有限公司申请一项名为“扩片后晶圆map图生成方法、装置、设备及存储介质”的专利，公开号CN120109033A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种扩片后晶圆map图生成方法、装置、设备及存储介质，该方法根据wafer图像计算扩片后晶圆的wafer外接椭圆区域，对wafer图像进行裁切，定位所有的die，过滤wafer外接椭圆区域以外的原始真实die，计算原始真实die的长宽均值，生成大小方向一致的目标真实die，计算包含所有目标真实die的最小外接矩形，补全最小外接矩形内所有的die，根据补全die区域和wafer外接椭圆区域交集以内的die、补充的die及目标真实die，生成扩片后晶圆map图，按照图像分割die、智能填充、排序来计算每个die位置坐标，对切割扩片后的wafer适用性更好。
天眼查资料显示，武汉罗博半导体科技有限公司，成立于2023年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉罗博半导体科技有限公司专利信息7条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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