TCL华星光电取得兼顾薄膜晶体管高开态电流和高开口率专利，兼顾薄膜晶体管的高开态电流和高开口率_资源案例

TCL华星光电取得兼顾薄膜晶体管高开态电流和高开口率专利，兼顾薄膜晶体管的高开态电流和高开口率

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2025-06-07 18:06:16

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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，TCL华星光电技术有限公司取得一项名为“半导体器件和电子器件”的专利，授权公告号CN222954308U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件通过使第一电极包括至少一个环状的第一子电极，第二电极包括至少一个环状的第二子电极和第一连接线，使第一子电极环绕第二子电极设置，则可以增加第一子电极与第二子电极的正对部分的宽度，从而增加半导体器件的沟道宽度，增加半导体器件的宽长比，提高开态电流，且无需增加第一电极和第二电极的占用空间，从而实现了兼顾薄膜晶体管的高开态电流和高开口率的效果，且第一子电极设有第一开口，第一连接线穿过第一开口与第二子电极连接，使得第二子电极可以通过第一连接线与掺杂部、其他电极和走线连接，使半导体器件正常工作。

天眼查资料显示，TCL华星光电技术有限公司，成立于2009年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3308123.474578万人民币。通过天眼查大数据分析，TCL华星光电技术有限公司共对外投资了14家企业，参与招投标项目209次，财产线索方面有商标信息317条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可311个。

来源：金融界

企业显示连接线电极电流技术信息华星高开专利器件半导体开口率

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