浙江玖维电子申请纳米级多层薄膜电阻器制造工艺与应用专利，解决传统工艺结合力差等问题
创始人
2025-06-07 22:05:43
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，浙江玖维电子科技有限公司申请一项名为“纳米级多层薄膜电阻器的制造工艺与应用”的专利，公开号CN120108873A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及微电子器件制造技术领域，公开了一种纳米级多层薄膜电阻器的制造工艺，通过梯度缓冲层设计、离子束辅助溅射和脉冲激光退火技术，解决了传统工艺中结合力差、残余应力高和结构缺陷等问题。该电阻器具有120‑150MPa的界面结合力、≤50MPa的残余应力和<10³个/cm²的针孔密度，适用于智能手机、平板电脑、高性能计算机、汽车电子系统以及航空航天电子设备中。
天眼查资料显示，浙江玖维电子科技有限公司，成立于2019年，位于衢州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江玖维电子科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可5个。
来源：金融界
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