亿芯微半导体申请应用于存储设备自毁方法相关专利避免数据泄露风险_资源案例

亿芯微半导体申请应用于存储设备自毁方法相关专利避免数据泄露风险

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2025-06-09 11:37:10

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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司申请一项名为“应用于存储设备的自毁方法、装置及存储设备”的专利，公开号CN120105500A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明涉及存储安全的技术领域，公开了一种应用于存储设备的自毁方法、装置及存储设备，本发明将存储设备分为存储区域、第一控制单元和第二控制单元，并分别配置监控模式，使第一和第二控制单元处于交互验证状态，存储区域处于电流分配状态，第一和第二控制单元互相执行指令并进行数据备份与自检验，并对存储区域的存储单元进行数据变动记录与关键特征提取，以及对存储设备与外部交互的指令进行记录与时序关联分析，根据检测标准判断设备安全性，若发现不安全状态，生成电流自毁指令，驱动存储设备进行强电流击穿操作，能够在异常情况下自动销毁数据，避免了数据泄露的风险，解决了现有技术中对存储设备的数据催坏不够及时有效的问题。

天眼查资料显示，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1691.708177万人民币。通过天眼查大数据分析，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可5个。

来源：金融界

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