金融界2025年6月10日消息,国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器及其制作方法、存储器系统和电子设备”的专利,公开号CN120130131A,申请日期为2023年09月。
专利摘要显示,本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、存储器系统和电子设备。存储器包括:第一半导体结构,包括垂直晶体管;依次堆叠于第一半导体结构上的第一绝缘结构和第二绝缘结构;接触结构,贯穿第一绝缘结构且与垂直晶体管的半导体主体连接;第一电极结构,包括:贯穿至少部分第一绝缘结构的第一电极层和贯穿第二绝缘结构的第二电极层;其中,第一电极层覆盖至少部分接触结构的侧壁且与接触结构连接;第二电极层与第一电极层连接;第二电极结构,包括:位于第一绝缘结构中的第一部分和位于第二绝缘结构中的第二部分;其中,第一部分覆盖部分第一电极层的侧壁;第二部分覆盖部分第二电极层的侧壁;电容介质层,位于第一电极结构和第二电极结构之间。
天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目1386次,财产线索方面有商标信息977条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可1005个。
来源:金融界