昆山清元电子申请面内电容及其制备方法与应用专利，提高电容器介电常数
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2025-06-10 13:34:45
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，昆山清元电子科技有限公司申请一项名为“一种面内电容及其制备方法与应用”的专利，公开号CN120126927A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供了一种面内电容及其制备方法与应用，所述面内电容包括基底层、覆盖于所述基底层表面的薄膜层，及覆盖于所述薄膜层表面的两块彼此交错设置的插齿电极；所述薄膜层由Aurivillius化合物组成。本发明提供的面内电容的薄膜层采用了无疲劳及无铅且具有各向异性的Aurivillius化合物，从而提高了电容器的介电常数和能量密度，普通钙钛矿材料或Aurivillius化合物面外电容不具备这种性能；另外，本发明中还采用在基底层上形成多层横向电容的结构，并配合在薄膜层的表面设置两块彼此交错排列的插齿电极作为横向电容，提高了电容器的介电常数，得到了具有高能量密度的面内电容。
天眼查资料显示，昆山清元电子科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，昆山清元电子科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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