长鑫科技申请存储单元、存储器及其制作方法专利，提高存储单元的性能
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2025-06-10 19:34:38
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储单元、存储器及其制作方法”的专利，公开号CN120129230A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种存储单元、存储器及其制作方法，其中，存储单元包括：栅导电部，栅导电部沿第一方向延伸；第一介质层，第一介质层设置于以第一方向为轴环绕栅导电部的部分表面；沟道层，沟道层位于第一介质层上；第二介质层，第二介质层位于沟道层上；第一字线，第一字线位于第二介质层上；位线，位线位于栅导电部沿第一方向的一端，且与栅导电部间隔，位线与沟道层连接；电容，电容位于栅导电部远离位线的一端，且与栅导电部间隔，电容与沟道层连接；第二字线，第二字线与栅导电部连接。可以提高存储单元的性能。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息387条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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