金融界2025年6月11日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储器”的专利,公开号CN120129229A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本公开是关于半导体技术领域,涉及一种半导体结构及其制造方法、存储器,该半导体结构包括衬底和字线,其中,衬底包括阵列区和第一外围区,第一外围区位于阵列区在第一方向上的至少一侧,阵列区包括阵列有源区,第一外围区包括第一外围有源区,第一外围有源区的顶面低于阵列有源区的顶面;字线位于衬底内,且沿第一方向延伸,并由阵列区延伸至第一外围区,字线通过其第一端部与第一外围有源区耦接,第一端部和第一外围有源区位于阵列区在第一方向上的同一侧。
天眼查资料显示,长鑫科技集团股份有限公司,成立于2016年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业,参与招投标项目1079次,财产线索方面有商标信息229条,专利信息387条,此外企业还拥有行政许可33个。
来源:金融界