鸿润芯电子申请具有静电保护结构的MOS管芯片专利，增强MOS管芯片的抗单粒子烧毁和静电保护能力
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2025-06-11 21:06:47
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市鸿润芯电子有限公司申请一项名为“一种具有静电保护结构的MOS管芯片”的专利，公开号CN120129289A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有静电保护结构的MOS管芯片，第一扩散区和第二扩散区形成PN超结提高反向击穿电压，第三注入区、第三外延层和第二外延层形成寄生NPN，第一注入区增大第三外延层的空穴导出路径，减小流入MOS管芯片的空穴数量，第一注入区使寄生NPN导通电阻减小和被开启难度增加，减少器件内出现大电流的可能性，增强了MOS管芯片的抗单粒子烧毁和静电保护能力。贯穿第三注入区延伸至部分第一扩散区和第二扩散区的沟槽、第四注入区作为屏蔽层、第一扩散区、第二扩散区和第四注入区共同耗尽使得电场分布更均匀，导通状态时超结的电荷补偿使得导通电阻下降，超结的电容特性和屏蔽层对栅漏电容的屏蔽作用，使得开关特性显著提高。
天眼查资料显示，深圳市鸿润芯电子有限公司，成立于2013年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鸿润芯电子有限公司参与招投标项目2次，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可5个。
来源：金融界
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