赛米微尔半导体申请二极管表面加工工艺专利，通过调节抛光下压力、清洁等离子体功率和清洁间距保证待钝化二极管清洁度_资源案例

赛米微尔半导体申请二极管表面加工工艺专利，通过调节抛光下压力、清洁等离子体功率和清洁间距保证待钝化二极管清洁度

创始人

2025-06-12 09:34:39

0次

金融界2025年6月12日消息，国家知识产权局信息显示，赛米微尔半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种用于二极管的表面加工工艺”的专利，公开号CN120116031A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明涉及二极管技术领域，尤其涉及一种用于二极管的表面加工工艺，对多个二极管进行预处理形成待抛光组，通过检测表面粗糙度动态调整抛光下压力；采用等离子清洗抛光后的二极管组，结合光学照射评估表面清洁度，对清洁二极管组二次检测表面粗糙度，筛选符合钝化标准的批次；实施钝化处理时，同步监测钝化层裂纹面积和裂纹宽度，根据实际裂纹评价值调节钝化等离子体功率。本工艺通过闭环调控：抛光阶段动态匹配表面状态的压力控制，清洗阶段优化清洗等离子体功率与极间距的协同作用，本发明通过调节抛光下压力、清洁等离子体功率和清洁间距保证待钝化二极管清洁度以及通过调整钝化等离子体功率保证钝化层厚度符合钝化需求。

天眼查资料显示，赛米微尔半导体（上海）有限公司，成立于2015年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1400.1万人民币。通过天眼查大数据分析，赛米微尔半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息9条，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界

企业加工工艺功率抛光下压力赛米微等离子体表面专利二极管等离子赛米微尔体功率

上一篇：【ETF动向】6月11日华夏国证半导体芯片ETF基金跌0.25%，份额增加1.2亿份

下一篇：蓝海华腾申请定子电阻计算相关专利，提高电机控制的精准度

赛米微尔半导体申请二极管表面加工工艺专利，通过调节抛光下压力、清洁等离子体功率和清洁间距保证待钝化二极管清洁度

相关内容

热门资讯