南亚科技申请具有背面拾取区的半导体元件结构及其制备方法专利，提供一种半导体元件结构及其制备方法
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2025-06-13 13:15:09
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有背面拾取区的半导体元件结构及其制备方法”的专利，公开号CN120152276A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底、一第一井区、一源极/漏极特征和一拾取区。该基底具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该第一井区邻接该基底的该第二表面并且具有一第一导电类型。该源极/漏极特征邻接该基底的该第二表面并且具有一第二导电类型，该第二导电类型不同于该第一导电类型。该拾取区域邻接该基底的该第一表面并具有该第一导电类型。

来源：金融界

方法 显示 导电 半导体 元件 南亚 表面 结构 专利 类型 基底 南亚科技

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