新存科技申请一种相变存储器专利,改善相变存储器中各相变存储单元之间的热串扰
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2025-06-13 20:37:00
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金融界2025年6月13日消息,国家知识产权局信息显示,新存科技(武汉)有限责任公司申请一项名为“一种相变存储器”的专利,公开号CN120152299A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,本申请公开了一种相变存储器,可用于半导体领域,该相变存储器包括阵列设置的相变存储单元,相变存储单元包括相变存储材料和间隔层;间隔层覆盖于相变存储材料的侧壁;间隔层包括第一间隔层和第二间隔层;相变存储材料、第一间隔层以及第二间隔层由内至外依次排列,第一间隔层包括氧化物夹层和氮化物层,第二间隔层为氧化物层;第一间隔层中氧化物夹层的厚度小于第二间隔层的厚度。由此,在第一间隔层中加入氧化物夹层,与氮化物层共同形成类似三明治的N‑O‑N结构,增加氧化物夹层作为热的阻挡层,可以有效地增加热边界电阻,减弱相变存储材料产生的热量沿着相变存储器的信号线传递的效率,从而改善相变存储器中各相变存储单元之间的热串扰。

天眼查资料显示,新存科技(武汉)有限责任公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1718.4646万人民币。通过天眼查大数据分析,新存科技(武汉)有限责任公司共对外投资了5家企业,参与招投标项目3次,专利信息123条。

来源:金融界

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