新存科技申请一种相变存储器专利，改善相变存储器中各相变存储单元之间的热串扰
创始人
2025-06-13 20:37:00
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种相变存储器”的专利，公开号CN120152299A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种相变存储器，可用于半导体领域，该相变存储器包括阵列设置的相变存储单元，相变存储单元包括相变存储材料和间隔层；间隔层覆盖于相变存储材料的侧壁；间隔层包括第一间隔层和第二间隔层；相变存储材料、第一间隔层以及第二间隔层由内至外依次排列，第一间隔层包括氧化物夹层和氮化物层，第二间隔层为氧化物层；第一间隔层中氧化物夹层的厚度小于第二间隔层的厚度。由此，在第一间隔层中加入氧化物夹层，与氮化物层共同形成类似三明治的N‑O‑N结构，增加氧化物夹层作为热的阻挡层，可以有效地增加热边界电阻，减弱相变存储材料产生的热量沿着相变存储器的信号线传递的效率，从而改善相变存储器中各相变存储单元之间的热串扰。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1718.4646万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3次，专利信息123条。
来源：金融界
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