苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制备方法专利，提高器件击穿电压的同时不影响其动态特性
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2025-06-13 21:09:47
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120152328A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；所述缓冲层包括碳元素掺杂，所述缓冲层包括层叠分布的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述缓冲层中靠近所述衬底一侧，沿所述衬底指向所述沟道层的方向，所述第一部分中的碳浓度以预设趋势逐渐增加，所述第二部分中的碳浓度逐渐降低；所述缓冲层还包括第一插入层，所述第一插入层设置于所述第一部分以及所述第二部分之间，所述第一插入层包括Al组分。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息296条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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