苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制备方法专利,提高器件击穿电压的同时不影响其动态特性
创始人
2025-06-13 21:09:47
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金融界2025年6月13日消息,国家知识产权局信息显示,苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利,公开号CN120152328A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括:依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层;所述缓冲层包括碳元素掺杂,所述缓冲层包括层叠分布的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述缓冲层中靠近所述衬底一侧,沿所述衬底指向所述沟道层的方向,所述第一部分中的碳浓度以预设趋势逐渐增加,所述第二部分中的碳浓度逐渐降低;所述缓冲层还包括第一插入层,所述第一插入层设置于所述第一部分以及所述第二部分之间,所述第一插入层包括Al组分。

天眼查资料显示,苏州晶湛半导体有限公司,成立于2012年,位于苏州市,是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目38次,财产线索方面有商标信息73条,专利信息296条,此外企业还拥有行政许可24个。

来源:金融界

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