华虹半导体申请电容及其形成方法专利，提高电容的击穿电压
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2025-06-14 12:38:01
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“电容及其形成方法”的专利，公开号CN120152305A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明实施例提供一种电容及其形成方法，所述电容的形成方法包括：形成第一电极层、介质层以及第二电极层，所述介质层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述介质层内包括Si‑H键和/或N‑H键；所述电容的形成方法还包括：对介质层进行处理，以打断所述介质层中的至少部分Si‑H键和/或N‑H键。采用所述形成方法可以提高电容的击穿电压。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2921次，专利信息1682条，此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目371次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可226个。
来源：金融界
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