南亚科技申请存储器装置与其制造方法专利，防止制造电容器结构的工艺在电容器结构自隔离结构的顶表面平移的情况下击穿隔离结构
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2025-06-17 09:09:16
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置与其制造方法”的专利，公开号CN120166696A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一种存储器装置的制造方法包括：在基板上方形成位元线结构；在位元线结构之间及上方形成导电结构，其中导电结构曝露位元线结构的一部分；沿着位元线结构的侧壁形成包括气隙的间隔物；及在导电结构与位元线结构中的一者之间形成隔离结构，其中隔离结构包括密封气隙的第一绝缘材料层及位于第一绝缘材料层上方的第二绝缘材料层，且第一绝缘材料层及第二绝缘材料层与位元线结构中的一者接触。本发明的隔离结构防止制造电容器结构的工艺在电容器结构自隔离结构的顶表面平移的情况下击穿隔离结构。
来源：金融界
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