中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，减少冗余金属线与信号金属线之间的整体寄生耦合电容
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2025-06-17 09:36:50
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120164879A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底；位于基底上的电互连层，电互连层包括若干信号金属线、以及排布于信号金属线外围的若干冗余金属线，且沿第一方向和第二方向，冗余金属线均为不等间距排布，第一方向与第二方向垂直。通过将若干冗余金属线沿第一方向和第二方向不等间距的排布于信号金属线的外围，使得信号金属线外围的布线密度降低，冗余金属线与信号金属线之间的整体间距增大，进而减少冗余金属线与信号金属线之间的整体寄生耦合电容，以此降低电路的延时以及提升器件结构的性能。另外，相对于单一密度的等间距填充，不等间距填充可以通过多种方案进行自由组合，即相同密度下具有更多填充方案，具有灵活适用性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界
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