紫光半导体申请HKMG工艺功函数调制方法及半导体元件专利，提升产品的WAT参数
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2025-06-17 09:37:14
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种HKMG工艺中功函数的调制方法及半导体元件”的专利，公开号CN120164785A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及一种HKMG工艺中功函数的调制方法及半导体元件，该调制方法包括：S1、提供经功函数层沉积工艺后得到的半导体衬底；S2、在所述半导体衬底的表面通过物理气相沉积形成具有氮含量浓度梯度的顶部阻挡层。采用物理气相沉积对半导体衬底进行顶部阻挡层沉积，形成具有氮含量浓度梯度的顶部阻挡层，能够实现调制功函数的目的，并且，采用具有氮含量浓度梯度的顶部阻挡层，能够提升顶部阻挡层对于其上方的原子或离子的阻挡效果，进而能够提升产品的WAT参数、良品率以及可靠性。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息50条。
来源：金融界
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