华虹半导体申请自对准高压CMOS器件的制造方法专利，提高了器件的击穿电压
创始人
2025-06-17 16:08:49
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“自对准高压CMOS器件的制造方法”的专利，公开号CN120166764A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种自对准高压CMOS器件的制造方法，图形化栅极多晶硅层及其下方的第一、二栅极介电层，分别形成高压CMOS和其他CMOS的第一、二栅极结构，形成覆盖其他CMOS区域且位于第一栅极结构上的掩膜层，从剖面结构观察，位于第一栅极结构上的掩膜层为上窄下宽的梯形形貌，其底部倾斜角度为θ，以掩膜层和第一栅极结构为掩膜进行带倾斜角的轻掺杂漏离子注入，形成高压CMOS的第一轻掺杂漏，第一轻掺杂漏为第二导电类型，使得第一栅极结构和第一轻掺杂漏的交叠区增大。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2921次，专利信息1686条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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