安徽格恩半导体取得设有析氢氧层的半导体激光元件专利
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2025-06-17 17:40:07
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司取得一项名为“一种设有析氢氧层的半导体激光元件”的专利，授权公告号CN116404523B，申请日期为2023年03月。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息495条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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