朗姆研究申请 3D 动态随机存取存储器和制造 3D-DRAM 的方法专利，构造特定的 3D 动态随机存取存储器
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2025-06-17 21:36:18
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金融界 2025 年 6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“3D 动态随机存取存储器(DRAM)和制造 3D-DRAM 的方法”的专利，公开号 CN120167133A，申请日期为 2023 年 10 月。
专利摘要显示，一种三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)包括衬底以及竖直堆叠在衬底的表面上的多个纳米片晶体管。每一纳米片晶体管包括栅极、源极以及漏极。多个位线连接到在多个纳米片晶体管的一侧的纳米片晶体管的漏极中的对应漏极。多个电容器竖直堆叠在衬底上，平行于衬底的表面延伸，并与在多个纳米片晶体管的相对侧的源极中的对应源极连接。
来源：金融界
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