爱思开海力士申请包括层叠结构的半导体装置专利，涉及包括层叠结构的半导体装置
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2025-06-18 12:38:26
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括层叠结构的半导体装置”的专利，公开号CN120166704A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及包括层叠结构的半导体装置。一种半导体装置包括电路结构，电路结构包括页缓冲器。第一层叠结构接合在电路结构上方。第一源极线设置在第一层叠结构上。设置通过穿过第一层叠结构连接到第一源极线的第一沟道结构。第二层叠结构接合在第一层叠结构和第一源极线上方。第二源极线设置在第二层叠结构上。设置通过穿过第二层叠结构连接到第二源极线的第二沟道结构。设置通过穿过第一层叠结构连接到第二沟道结构的第一位贯通电极。第一沟道结构和第二沟道结构连接到页缓冲器。
来源：金融界
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