中兴光电子申请光电探测器以及制作方法专利，提高光电探测器在拓展波段下的性能
创始人
2025-06-20 18:38:45
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，中兴光电子技术有限公司申请一项名为“光电探测器以及制作方法”的专利，公开号CN120187156A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种光电探测器以及制作方法，所述光电探测器包括波导层、光电探测层，其中，波导层用于接收光信号并将光信号传导至光电探测层，光电探测层用于将光信号转换为电信号，波导层包括至少一个用于加热光电探测层的目标掺杂区，本申请在光电探测器的波导层上进行掺杂以改变掺杂区域的阻值，形成目标掺杂区，通过对目标掺杂区加电使其升温，目标掺杂区产生的热量传递至光电探测层，从而提高光电探测层对光子的吸收率，进而提高光电探测器在拓展波段下的性能。
天眼查资料显示，中兴光电子技术有限公司，成立于2016年，位于南京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，中兴光电子技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目5次，专利信息113条，此外企业还拥有行政许可20个。
来源：金融界
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