成都紫光半导体申请制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法专利，提高超低介电常数薄膜的产能
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2025-06-21 10:38:50
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法”的专利，公开号CN120184016A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法，该方法包括以下步骤：S1、将第一半导体元件放置于第一反应腔内，开始形成所述超低介电常数薄膜；将第二半导体元件放置于第二反应腔内，间隔10～50s后，开始形成所述超低介电常数薄膜；将第三半导体元件放置于第三反应腔内，间隔20～50s后，开始形成所述超低介电常数薄膜；S2、依次对所述第一反应腔、所述第二反应腔和所述第三反应腔进行切换；所述切换包括：将所述具有超低介电常数薄膜的半导体元件从反应腔内取出并将待形成超低介电常数薄膜的半导体元件放置于所述反应腔内。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息54条。
来源：金融界
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