长鑫存储申请芯片老化测试装置及芯片老化测试方法专利，可提高芯片老化测试效率
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2025-06-21 13:38:20
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储产品（合肥）有限公司申请一项名为“芯片老化测试装置及芯片老化测试方法”的专利，公开号CN120178009A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开提供了一种芯片老化测试装置及芯片老化测试方法，涉及半导体测试技术领域。该装置包括：多个测试腔体和多个缓冲腔体；每一测试腔体配备有第一温控组件，用以独立调控对应的测试腔体内的温度，使测试腔体具备恒定的测试温度，测试腔体用于对芯片组进行老化测试；缓冲腔体和测试腔体交替设置且形成有闭合空腔结构，闭合空腔结构用于收容至少一个测试核心组件，测试核心组件被配置为在闭合空腔结构内能够进行旋转运动，测试核心组件为芯片组内的各芯片提供测试信号；各缓冲腔体均包括至少两个隔断件，隔断件用于阻隔缓冲腔体与相邻测试腔体之间的气流交换；多个隔断件被配置为交替开合，以使芯片组能够进出缓冲腔体。
天眼查资料显示，长鑫存储产品（合肥）有限公司，成立于2022年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本358600万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储产品（合肥）有限公司参与招投标项目5次，专利信息17条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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