长鑫科技申请三维半导体结构及其制作方法专利，提高三维半导体结构堆叠层数
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2025-06-21 17:08:38
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“三维半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120186996A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及一种三维半导体结构及其制作方法，涉及集成电路领域，三维半导体结构包括：衬底；第一DRAM堆叠结构，包括在衬底上交替堆叠的第一半导体层和第一层间介质层，还包括沿垂直于衬底的方向间隔排布的第一DRAM单元，相邻的第一DRAM单元通过第一层间介质层隔开；绝缘介质层，设置在半导体结构上；半导体单晶层，设置在绝缘介质层上；第二DRAM堆叠结构，包括在半导体单晶层上交替堆叠的第三半导体层和第二层间介质层，还包括沿垂直于衬底的方向间隔排布的第二DRAM单元，相邻的第二DRAM单元通过第二层间介质层隔开，提高了三维半导体结构的堆叠层数，以使三维半导体结构的集成密度能够持续提高。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息408条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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