英飞凌申请磁阻传感器专利，相邻的磁性自由层可充当磁通量集中器
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2025-06-23 16:11:23
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“磁阻传感器”的专利，公开号CN120178119A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种磁阻传感器(200)，包括由层堆叠形成的至少一个xMR传感器元件(100)，该xMR传感器元件具有带有磁性自由涡旋磁化的磁性自由层(116)和在预定方向上带有参考磁化的至少一个参考层(110)。沿预定方向在xMR传感器元件(100)的相对侧上并且与xMR传感器元件(100)横向相邻地布置有带有磁性自由涡旋磁化的磁性自由层(216A、216B)。相邻的磁性自由层(216A、216B)可以充当布置在它们之间的磁阻传感器元件(100)的磁通量集中器。
来源：金融界
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