金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“磁阻传感器”的专利,公开号CN120178119A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本申请涉及一种磁阻传感器(200),包括由层堆叠形成的至少一个xMR传感器元件(100),该xMR传感器元件具有带有磁性自由涡旋磁化的磁性自由层(116)和在预定方向上带有参考磁化的至少一个参考层(110)。沿预定方向在xMR传感器元件(100)的相对侧上并且与xMR传感器元件(100)横向相邻地布置有带有磁性自由涡旋磁化的磁性自由层(216A、216B)。相邻的磁性自由层(216A、216B)可以充当布置在它们之间的磁阻传感器元件(100)的磁通量集中器。
来源:金融界