广能达半导体申请基于射频电源的高速采集数据专利，提升射频电源的数据采集速度
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2025-06-26 04:08:17
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金融界2025年6月25日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“基于射频电源的高速采集数据方法、装置、设备及介质”的专利，公开号CN120195576A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及射频电源技术领域，揭露一种基于射频电源的高速采集数据方法，包括：获取射频电源中射频信号的反射系数，根据反射系数计算射频电源的射频入射功率和射频反射功率；根据入射功率和反射功率，得到射频模拟信号，将射频模拟信号转换为射频数字信号；获取射频数字信号中的入射功率数据和反射功率数据，并基于入射功率数据和反射功率数据，利用预设的FPGA进行计算，得到射频电源的射频反射率；基于射频反射率计算射频电源的负载阻抗，并获取时间特征，得到实时负载阻抗；基于实时负载阻抗调节射频电源的输出功率，得到射频调节数据。本发明还提出一种基于射频电源的高速采集数据装置、设备及存储介质。
天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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