广能达半导体申请基于射频电源的高速采集数据专利,提升射频电源的数据采集速度
创始人
2025-06-26 04:08:17
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金融界2025年6月25日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“基于射频电源的高速采集数据方法、装置、设备及介质”的专利,公开号CN120195576A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,本发明涉及射频电源技术领域,揭露一种基于射频电源的高速采集数据方法,包括:获取射频电源中射频信号的反射系数,根据反射系数计算射频电源的射频入射功率和射频反射功率;根据入射功率和反射功率,得到射频模拟信号,将射频模拟信号转换为射频数字信号;获取射频数字信号中的入射功率数据和反射功率数据,并基于入射功率数据和反射功率数据,利用预设的FPGA进行计算,得到射频电源的射频反射率;基于射频反射率计算射频电源的负载阻抗,并获取时间特征,得到实时负载阻抗;基于实时负载阻抗调节射频电源的输出功率,得到射频调节数据。本发明还提出一种基于射频电源的高速采集数据装置、设备及存储介质。

天眼查资料显示,深圳市广能达半导体科技有限公司,成立于2021年,位于深圳市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次,专利信息30条,此外企业还拥有行政许可4个。

来源:金融界

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