合肥高纳半导体取得电阻法碳化硅单晶生长设备专利，能够实现较为均匀的加热效果
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2025-05-16 17:34:12
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，合肥高纳半导体科技有限责任公司取得一项名为“电阻法碳化硅单晶生长设备”的专利，授权公告号CN222861709U，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种电阻法碳化硅单晶生长设备，该电阻法碳化硅单晶生长设备包括支架，支架上设置有真空腔室，真空腔室内设置有石墨发热体，真空腔室上设置有加热组件，加热组件穿过真空腔室与石墨发热体连接，加热组件将石墨发热体竖直悬挂在真空腔室内部，加热组件通过电流使石墨发热体发热，以对真空腔室的内部进行加热。本实用新型提供的电阻法碳化硅单晶生长设备，通过电阻加热原理，能够实现较为均匀的加热效果，避免了温度不均匀导致的质量问题，相比其它加热方式，石墨发热体加热能够将电能高效转化为热能，减少能量损耗，提高能源利用效率，而且石墨发热体的加热功率和加热时间可以通过调节电流和电压等参数来控制，操作简单。
天眼查资料显示，合肥高纳半导体科技有限责任公司，成立于2023年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥高纳半导体科技有限责任公司专利信息10条。
来源：金融界
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