新存科技取得具有对准标记的半导体结构专利，减少第一对准标记在研磨工艺中的磨损
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2025-06-27 23:38:11
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司取得一项名为“一种具有对准标记的半导体结构”的专利，授权公告号CN223038955U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请提供了一种具有对准标记的半导体结构，该半导体结构包括衬底和位于衬底上的对准标记层，对准标记层包括介质层和位于介质层中的第一对准标记和虚拟图形，第一对准标记包括多个第一矩形标记组，多个第一矩形标记组配置于一个矩形区域内，且第一矩形标记组邻接矩形区域的直角部。介质层包括外部标记区域和内部标记区域，外部标记区域位于矩形区域的外部，内部标记区域位于矩形区域的内部。其中，虚拟图形设置于外部标记区域和内部标记区域其中至少之一。通过在外部标记区域和/或内部标记区域增加虚拟图形，可以保护第一对准标记，减少第一对准标记在研磨工艺中的磨损，进而提升良率。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息126条。
来源：金融界
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