新存科技取得具有对准标记的半导体结构专利,减少第一对准标记在研磨工艺中的磨损
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2025-06-27 23:38:11
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金融界2025年6月27日消息,国家知识产权局信息显示,新存科技(武汉)有限责任公司取得一项名为“一种具有对准标记的半导体结构”的专利,授权公告号CN223038955U,申请日期为2024年07月。

专利摘要显示,本申请提供了一种具有对准标记的半导体结构,该半导体结构包括衬底和位于衬底上的对准标记层,对准标记层包括介质层和位于介质层中的第一对准标记和虚拟图形,第一对准标记包括多个第一矩形标记组,多个第一矩形标记组配置于一个矩形区域内,且第一矩形标记组邻接矩形区域的直角部。介质层包括外部标记区域和内部标记区域,外部标记区域位于矩形区域的外部,内部标记区域位于矩形区域的内部。其中,虚拟图形设置于外部标记区域和内部标记区域其中至少之一。通过在外部标记区域和/或内部标记区域增加虚拟图形,可以保护第一对准标记,减少第一对准标记在研磨工艺中的磨损,进而提升良率。

天眼查资料显示,新存科技(武汉)有限责任公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析,新存科技(武汉)有限责任公司共对外投资了8家企业,参与招投标项目3次,专利信息126条。

来源:金融界

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