西安华芯智造申请半导体二极管雪崩耐量测试方法及系统专利 使雪崩耐量精确性更高
创始人
2025-07-01 11:09:38
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金融界2025年7月1日消息,国家知识产权局信息显示,西安华芯智造技术有限公司申请一项名为“一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统”的专利,公开号CN120233203A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体测试技术领域,具体涉及一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统。该方法包括:在尖峰电压刺激并恢复到稳定状态的过程中,获取半导体二极管的热成像图像,确定局部温度的峰值区域;根据温度变化以及峰值区域的面积,确定散热不足性指标;结合散热不足性指标和所有峰值区域的距离,确定热成像图像的局部过热因子;根据时序上所有热成像图像的局部过热因子的数值变化,确定二极管局部过热现象的消散速率;结合局部过热因子和消散速率确定热击穿可能性;根据二极管在不同尖峰电压的所有热击穿可能性的数值变化,确定雪崩耐量。

天眼查资料显示,西安华芯智造技术有限公司,成立于2024年,位于西安市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,西安华芯智造技术有限公司。

来源:金融界

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