西安华芯智造申请半导体二极管雪崩耐量测试方法及系统专利使雪崩耐量精确性更高_资源案例

西安华芯智造申请半导体二极管雪崩耐量测试方法及系统专利使雪崩耐量精确性更高

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2025-07-01 11:09:38

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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，西安华芯智造技术有限公司申请一项名为“一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统”的专利，公开号CN120233203A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体测试技术领域，具体涉及一种半导体二极管的雪崩耐量测试方法及系统。该方法包括：在尖峰电压刺激并恢复到稳定状态的过程中，获取半导体二极管的热成像图像，确定局部温度的峰值区域；根据温度变化以及峰值区域的面积，确定散热不足性指标；结合散热不足性指标和所有峰值区域的距离，确定热成像图像的局部过热因子；根据时序上所有热成像图像的局部过热因子的数值变化，确定二极管局部过热现象的消散速率；结合局部过热因子和消散速率确定热击穿可能性；根据二极管在不同尖峰电压的所有热击穿可能性的数值变化，确定雪崩耐量。

天眼查资料显示，西安华芯智造技术有限公司，成立于2024年，位于西安市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安华芯智造技术有限公司。

来源：金融界

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