无锡华润上华科技申请SOI半导体结构及其制造方法专利，可为不同耐压的器件单独配置合适厚度的掩埋介质层和半导体层，优化器件参数和集成电路性能_资源案例

无锡华润上华科技申请SOI半导体结构及其制造方法专利，可为不同耐压的器件单独配置合适厚度的掩埋介质层和半导体层，优化器件参数和集成电路性能

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2025-07-01 17:38:11

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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“SOI半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120239328A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种SOI半导体结构及其制造方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；所述SOI晶圆包括从下到上叠设的底部半导体层、掩埋介质层及顶部半导体层；去除所述SOI晶圆的第一区域的顶部半导体层，并减薄所述第一区域的掩埋介质层；在第一区域被减薄的所述掩埋介质层上形成第一半导体层。本发明的掩埋介质层的厚度及顶部半导体层的厚度匹配所要制造的芯片中最高压的器件进行设计，并在低压器件所在的第一区域，去除顶部半导体层并将掩埋介质层减薄至适配低压器件的厚度，然后在第一区域形成厚度适配低压器件的第一半导体层。因此可为不同耐压的器件单独配置合适厚度的掩埋介质层和半导体层，优化器件参数和集成电路性能。

天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目4033次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1454条，此外企业还拥有行政许可120个。

来源：金融界

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