江苏鲁汶仪器申请半导体结构的形成方法专利，提升最终形成的浅沟槽的界面刻蚀表现
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2025-07-02 01:09:21
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120237003A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；采用第一反应离子束刻蚀工艺刻蚀所述基底，在所述基底内形成初始浅沟槽；采用至少一次第二反应离子束刻蚀工艺刻蚀所述初始浅沟槽的表面，形成浅沟槽，所述浅沟槽的表面粗糙度小于所述初始浅沟槽的表面粗糙度；首先利用第一反应离子刻蚀工艺勾勒出初始浅沟槽的形貌，再采用至少一次的第二反应离子束刻蚀工艺刻蚀初始浅沟槽的表面，均衡解决初始浅沟槽在刻蚀中出现表面粗糙，底层界面损伤以及负载效应的问题，提升最终形成的浅沟槽的界面刻蚀表现，优化半导体结构的电学性能，具有较广泛的使用范围。
天眼查资料显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本16631.8311万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鲁汶仪器股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目232次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息430条，此外企业还拥有行政许可14个。
来源：金融界
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