长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储器系统专利，提供一种半导体结构、制备方法及存储器系统
创始人
2025-07-02 13:08:48
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器系统”的专利，公开号CN120239279A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构、制备方法及存储器系统。半导体结构包括：叠层结构和沟道结构。叠层结构包括沿第一方向交替堆叠的第一介质层和栅极层。沟道结构沿第一方向在叠层结构中延伸，其中沟道结构包括功能层、位于功能层的表面的沟道层以及位于沟道层表面的半导体材料填充层，其中沟道层为包含铟、镓和锌中至少之一的氧化物半导体层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1394次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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