派恩杰半导体申请低应力双面冷却功率模块及制造方法专利，有效降低芯片结温
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2025-07-02 14:09:19
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司申请一项名为“一种低应力双面冷却功率模块及制造方法”的专利，公开号CN120237101A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供了一种低应力双面冷却功率模块及制造方法，其包括：相对设置第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板，第一覆铜陶瓷基板上设有至少两个功率芯片，每个功率芯片两侧均设有C状的辅助支撑柱连接层；第二覆铜陶瓷基板的下表面设置有与每个功率芯片相对设置的倒扣式金属缓冲垫块。倒扣式金属缓冲垫块包括：具有凹槽的连接框，连接框对应辅助支撑柱连接层的位置设有与其连接的辅助支撑柱，连接框的凹槽内设有凸起的四棱台导热结构，倒扣的四棱台导热结构底部与功率芯片连接，倒扣式金属缓冲垫块为功率模块构建了优化的热传导路径，使得芯片工作过程中产生的热量能够通过金属缓冲垫块高效地传导至外部散热环境，从而有效降低芯片结温。
天眼查资料显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司，成立于2018年，位于宁波市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，派恩杰半导体（浙江）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息29条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可11个。
来源：金融界
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