纳维达斯半导体申请用于在衬底钳位电路中生成偏置电压的电路和方法专利，使硅基底层处的电压接近第二源极节点处的电压
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2025-07-02 20:09:51
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，纳维达斯半导体有限公司申请一项名为“用于在衬底钳位电路中生成偏置电压的电路和方法”的专利，公开号CN120233819A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开涉及用于在衬底钳位电路中生成偏置电压的电路和方法。一种电子设备包括：氮化镓(GaN)衬底，所述GaN衬底具有附接到硅基底层的GaN基顶层；双向开关，所述双向开关形成在所述GaN基顶层上并且包括第一源极节点、第二源极节点和公共漏极节点；第一偏置发生器电路，所述第一偏置发生器电路被布置成将所述第一源极节点耦接到所述硅基底层；以及第二偏置发生器电路，所述第二偏置发生器电路被布置成将所述第二源极节点耦接到所述硅基底层。在一个方面，当所述第一源极节点的电压高于所述第二源极节点的电压时，所述第一偏置发生器电路使所述硅基底层处的电压接近所述第二源极节点处的所述电压。
来源：金融界
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