金融界2025年5月16日消息,国家知识产权局信息显示,瑞昱半导体股份有限公司取得一项名为“去耦合电容的漏电流阻挡电路和漏电流阻挡方法”的专利,授权公告号CN114744600B,申请日期为2021年1月。
来源:金融界
上一篇:XD汇成股股价小幅回落 半导体封装测试企业受关注
下一篇:中科焓能取得多通道电解水测试平台专利,能使电流探测测试结果更准确