上海积塔半导体申请金属互连结构制备方法及半导体器件专利，降低信号传输电阻-电容延迟_资源案例

上海积塔半导体申请金属互连结构制备方法及半导体器件专利，降低信号传输电阻-电容延迟

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2025-07-04 11:09:42

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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“金属互连结构的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN120261398A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供了一种金属互连结构的制备方法及半导体器件，制备方法包括如下步骤：提供一衬底，衬底包括基底、基底上的半导体层、半导体层中形成的多个接触孔以及与接触孔内的第一导电介质；在衬底的表面依次形成刻蚀停止层、牺牲层以及金属间介质层；刻蚀衬底形成多个沟槽，沟槽延伸至基底的表面，沟槽在衬底的表面的投影覆盖接触孔在衬底的表面的投影；在沟槽中填充第二导电介质；平坦化衬底表面并采用退火工艺处理衬底，退火过程牺牲层分解形成空气间隙层。本发明的金属互连结构的制备方法通过空气间隙层降低金属互连结构的介电常数，以进一步减小其中金属连线之间的电容耦合效应，降低信号传输电阻-电容延迟，提升半导体芯片的总体性能。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1836次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1173条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

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