南亚科技申请形成存储器装置的方法专利，提升存储器装置的稳定性
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2025-07-05 12:08:42
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“形成存储器装置的方法”的专利，公开号CN120264754A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，一种方法包括以下步骤：在基板上方形成堆叠，堆叠包括第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层及第二支撑层；形成第一及第二沟槽；在第一及第二沟槽中形成底部电极；在堆叠上方形成图案化遮罩，其中图案化遮罩具有曝露堆叠的开口；经由图案化遮罩的开口对堆叠执行蚀刻工艺，其中蚀刻工艺蚀刻堆叠的第一部分以形成凹槽，而横向位于第一沟槽与第二沟槽之间的堆叠的第二部分由聚合物保护，聚合物在执行蚀刻工艺期间产生；自堆叠移除第一及第二牺牲层；在底部电极上方形成电容器介电层；及在电容器介电层上方形成顶部电极。
来源：金融界
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