厦门未来显示申请一种外延结构和发光二极管专利,可抑制空穴横向传输时的集中拥堵情况
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2025-07-05 19:38:17
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金融界2025年7月5日消息,国家知识产权局信息显示,厦门未来显示技术研究院有限公司申请一项名为“一种外延结构和发光二极管”的专利,公开号CN120264953A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本申请提供了一种外延结构和发光二极管,涉及发光二极管技术领域,该外延结构包括:衬底和层叠结构,层叠结构包括由下至上依次层叠的第一N型层、发光层、P型层和第二N型层。其中,P型层朝向第二N型层的一侧包括至少一个离子注入区,各离子注入区从P型层的表面朝向P型层的内部延伸,且P型层中离子注入区的电阻大于其余区域的电阻,使得P型层中的空穴在横向传输时,会由于被离子注入区阻挡,沿着离子注入区的延伸方向纵向传输,之后再横向传输,对空穴的横向传输起到了疏散效果,进而可以抑制空穴横向传输时的集中拥堵情况,进而有利于P型层中载流子的平面扩展,有利于电流的传输,以实现大电流密度。

天眼查资料显示,厦门未来显示技术研究院有限公司,成立于2020年,位于厦门市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1055万人民币。通过天眼查大数据分析,厦门未来显示技术研究院有限公司参与招投标项目5次,专利信息52条,此外企业还拥有行政许可9个。

来源:金融界

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