厦门未来显示申请一种外延结构和发光二极管专利，可抑制空穴横向传输时的集中拥堵情况
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2025-07-05 19:38:17
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，厦门未来显示技术研究院有限公司申请一项名为“一种外延结构和发光二极管”的专利，公开号CN120264953A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供了一种外延结构和发光二极管，涉及发光二极管技术领域，该外延结构包括：衬底和层叠结构，层叠结构包括由下至上依次层叠的第一N型层、发光层、P型层和第二N型层。其中，P型层朝向第二N型层的一侧包括至少一个离子注入区，各离子注入区从P型层的表面朝向P型层的内部延伸，且P型层中离子注入区的电阻大于其余区域的电阻，使得P型层中的空穴在横向传输时，会由于被离子注入区阻挡，沿着离子注入区的延伸方向纵向传输，之后再横向传输，对空穴的横向传输起到了疏散效果，进而可以抑制空穴横向传输时的集中拥堵情况，进而有利于P型层中载流子的平面扩展，有利于电流的传输，以实现大电流密度。
天眼查资料显示，厦门未来显示技术研究院有限公司，成立于2020年，位于厦门市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1055万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门未来显示技术研究院有限公司参与招投标项目5次，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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