南昌光澜半导体申请用于基底上形成纳米图案结构的方法专利，主动补偿残留层厚度差异
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2025-07-07 11:38:00
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，南昌光澜半导体有限公司申请一项名为“用于基底上形成纳米图案结构的方法”的专利，公开号CN120255270A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开一种用于基底上形成纳米图案结构的方法，包括：根据压印母板上纳米图案结构的分布，将其划分为若干区域，每个区域具有相同深度的纳米图案结构；根据压印母板的区域划分情况，将基底也进行对应区域划分；利用刻蚀工艺对区域划分后的基底进行预刻蚀，使不同区域的基底厚度根据对应压印母板区域的纳米图案深度进行差异化调整；在预刻蚀后的基底上旋涂压印胶；通过压印工艺将压印母板上的纳米图案结构转至压印胶上，使得各区域的压印胶残留层厚度一致；对压印后的基底进行刻蚀，将压印胶图案转移至基底，形成与压印母板一致的纳米图案结构。
天眼查资料显示，南昌光澜半导体有限公司，成立于2021年，位于南昌市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，南昌光澜半导体有限公司参与招投标项目1次，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可5个。
来源：金融界
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