安徽长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等专利增强JEFT区域的击穿电压_资源案例

安徽长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等专利增强JEFT区域的击穿电压

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2025-07-07 18:18:57

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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120264820A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，一种半导体器件，包括为第一导电类型的半导体本体，包括第一表面和第二表面；半导体本体还包括为第一导电类型的JEFT区和第一区域，JEFT区和第一区域位于第一表面。栅极绝缘层，位于第一表面上，栅极绝缘层包括第一部和第二部，第一部覆盖JEFT区的至少部分，第二部覆盖第一区域的至少部分；沿垂直于第一表面的方向，第一部的厚度大于第二部的厚度；栅极结构，位于栅极绝缘层的远离半导体本体的一侧。通过使MOSFET的JEFT区域栅极绝缘层的厚度加厚，增强了JEFT区域的击穿电压，同时降低器件开启电容，增加了器件的开启速度。

天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

企业方法显示先进半导体栅极信息电压包括专利区域器件半导体本体绝缘层

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