三安光电申请一种可提高芯片发光效率的发光二极管及发光装置专利
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2025-07-08 20:10:04
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，天津三安光电有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN120282598A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管的半导体外延叠层形成一发光区及环绕发光区的外围区域，发光二极管包括形成在外围区域并且环绕发光区的隔离结构，该隔离结构自出光面向第二半导体层延伸。隔离结构的设置使得激光一次性切割得到上述发光二极管得以实现，可以实现发光二极管较窄的外围区域，所以对于相同尺寸的LED芯片发光区面积增大，提高了芯片的发光效率；同时，隔离结构向半导体外延叠层的第二半导体层延伸，因此当采用激光切割得到发光二极管时，可以避免由于激光切割回熔物附着在有源层侧壁造成的漏电异常，提高发光二极管的可靠性。
天眼查资料显示，天津三安光电有限公司，成立于2008年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析，天津三安光电有限公司参与招投标项目28次，专利信息332条，此外企业还拥有行政许可46个。
来源：金融界
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