苏州晶湛半导体申请半导体结构制造方法专利，降低栅极漏电流
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2025-07-09 14:38:31
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN120282468A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构的制造方法，在衬底上依次生长沟道层、势垒层以及n型半导体层；在n型半导体层上刻蚀凹槽，凹槽贯穿n型半导体层；在n型半导体层上和凹槽中生长牺牲层；刻蚀牺牲层；在n型半导体层上和凹槽中生长p型半导体层；重复多次牺牲层的生长与刻蚀，直至凹槽下方的势垒层表面的杂质元素浓度低于预设值。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息305条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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