浙江晶能微电子有限公司（以下简称“晶能”）与株洲中车时代半导体有限公司（以下简称“中车时代半导体”）于近日签署了战略合作协议。此次合作聚焦于Si、SiC、GaN等功率半导体器件的芯片设计、工艺创新、模块封装及测试验证等关键领域，旨在共同推动功率半导体技术的突破与产业化。

图片来源：晶能

晶能是吉利旗下功率半导体平台，专注于高可靠性功率半导体产品的研发与制造。公司在杭州、台州和嘉兴布局了三座智能化生产基地，产品广泛应用于新能源汽车、光伏储能、智能机器人等场景。

今年6月，晶能与星驱技术团队共同出资设立的SiC半桥模块制造项目正式投产，预计年产10万套，年产值约12.5亿元。该项目于2024年2月启动，采用国际领先制造工艺，填补国内相关市场空白，显著提升晶能在第三代半导体领域的技术实力，为新能源汽车产业提供高性能、高可靠性的关键零部件，助力行业技术升级。

今年5月，晶能位于杭州市钱江经济开发区的一期工厂技改项目顺利竣工验收。该项目于2024年6月启动，总投资超过3亿元，通过引入先进设备和优化生产工艺，显著提升了工厂的智能化水平和生产效率。技改完成后，工厂具备了年产60万套IGBT功率模块及5万套SiC功率模块的产能，能够更好地满足新能源汽车、光伏储能等领域的市场需求，进一步巩固了晶能在功率半导体领域的市场地位。

据悉，晶能微电子在2024年10月完成了5亿元B轮融资，由秀洲翎航基金投资。这笔融资将进一步支持其在功率半导体设计研发、模块制造和上车应用等方面的投入。

中车时代半导体则是中国中车旗下专注于功率半导体领域的核心企业，采用IDM（集成设计制造）模式运营，构建了从芯片设计到模块封装的完整产业链。其技术积累可追溯至1964年，在IGBT和SiC器件等领域拥有多项自主核心技术，并在中国和英国设有研发中心。公司产品广泛应用于轨道交通、智能电网、新能源汽车和新能源装备等领域。

值得关注的是，中车时代半导体在SiC领域取得了显著进展。其6英寸SiC芯片中试线已初步具备年产2.5万片的产能。此外，公司正积极推进8英寸SiC晶圆产线建设，预计在2025年底实现产线拉通。该产线投产后，将具备月产3万片的产能，有望成为中国技术最先进、产能最大的功率半导体产业基地。

在产品方面，中车时代半导体的SiC MOSFET产品覆盖650V至6500V电压等级，特别适用于高频、大功率密度系统，已被广泛应用于新能源汽车、不间断电源（UPS）、风力发电和光伏逆变器等领域。公司预计，2025年其SiC MOSFET产品有望在新能源汽车主驱电驱领域实现批量应用。

除了SiC领域的进展，中车时代半导体近期还与罗杰斯公司、赛米控丹佛斯等签署了合作备忘录，共同开发功率模块芯片技术。

当前，全球能源结构转型加速推进，新能源汽车、光伏储能、智能电网等产业对高效、高可靠性功率器件的需求呈现爆发式增长。SiC与GaN等第三代半导体技术凭借其优异的性能表现，正成为全球产业竞争的战略高地。此次强强联合，将进一步提升国产功率半导体的自主创新能力和国际竞争力，助力中国高端制造转型升级。

未来，双方还将在联合技术攻关、人才培养及产业生态建设等方面深化合作，通过打造产学研用深度融合的创新平台，为全球绿色能源与智能交通发展提供更高效的半导体解决方案。

（文/集邦化合物半导体 竹子 整理）