中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提升含有BDI结构的GAA的性能_资源案例

中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提升含有BDI结构的GAA的性能

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2025-07-09 21:09:38

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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120282471A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干分立排布的鳍部，鳍部包括第一牺牲层以及位于第一牺牲层表面的若干层重叠的复合层，复合层包括第二牺牲层以及位于第二牺牲层表面的沟道层；在衬底上形成伪栅结构，伪栅结构包括第一伪栅部，第一伪栅部横跨鳍部，且位于鳍部的部分侧壁和顶部表面；在鳍部暴露出的侧壁表面和顶部表面形成保护层，保护层暴露出第一牺牲层的侧壁表面；以保护层为掩膜，去除第一牺牲层，在复合层和衬底之间形成隔离槽；在隔离槽内形成底部隔离层，提升含有BDI结构的GAA的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。

来源：金融界

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